ideal power 文章最新資訊

iDEAL Semiconductor的SuperQ技術(shù)獲得汽車應(yīng)用認(rèn)證

?iDEAL Semiconductor 今日宣布，其 SuperQ? 技術(shù)已獲得 AEC-Q101 汽車應(yīng)用認(rèn)證，標(biāo)志著公司向高可靠性市場(chǎng)的重大拓展。iDEAL 首款獲得汽車應(yīng)用認(rèn)證并進(jìn)入量產(chǎn)的產(chǎn)品 iS20M028S1CQ 是一款 200 V 的 MOSFET，其導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 為 25 mΩ，額定溫度為 175°C。SuperQ 代表著硅 MOSFET 的一項(xiàng)突破性進(jìn)展，在保持硅固有的耐用性和可靠性的同時(shí)，可提供卓越的效率、降低開(kāi)關(guān)損耗并增強(qiáng)導(dǎo)通性能。此次認(rèn)證彰顯了 Supe
關(guān)鍵字： iDEAL SuperQ

ADI Power Studio?-加速電源管理設(shè)計(jì)

概述ADI Power Studio?是一套面向應(yīng)用工程師及高級(jí)電源設(shè)計(jì)用戶的綜合性產(chǎn)品系列，能夠有效簡(jiǎn)化整個(gè)電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)流程，提供從初步概念到測(cè)量和評(píng)估的全程支持。Power Studio提供統(tǒng)一、直觀的工作流程，利用準(zhǔn)確的模型來(lái)仿真實(shí)際性能，并自動(dòng)生成關(guān)鍵的物料清單和報(bào)告等內(nèi)容，幫助工程團(tuán)隊(duì)更早做出更優(yōu)決策。ADI Power Studio整合了凌力爾特與美信的元器件，構(gòu)建起統(tǒng)一的器件選型目錄；同時(shí)通過(guò)豐富的工具集成優(yōu)化工作流程，并基于客戶反饋打造了現(xiàn)代化的用戶界面(UI)與用戶體驗(yàn)(UX)。產(chǎn)品系
關(guān)鍵字： ADI 電源管理 ADI Power Studio

Analog Devices發(fā)布ADI Power Studio和網(wǎng)頁(yè)端新工具

●? ?ADI Power Studio將多種ADI工具整合成一個(gè)完整的產(chǎn)品系列，助力簡(jiǎn)化電源管理設(shè)計(jì)和優(yōu)化工作?！? ?ADI Power StudioTM Planner工具有助于增強(qiáng)系統(tǒng)級(jí)電源樹(shù)規(guī)劃?！? ?ADI Power StudioTM Designer工具可在整個(gè)集成電路(IC)級(jí)電源設(shè)計(jì)過(guò)程中提供全方位指導(dǎo)。全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司Analog Devices, Inc. (Nasdaq: ADI)宣布推出綜合性產(chǎn)品系列ADI Po
關(guān)鍵字： Analog Devices ADI ADI Power Studio

Power Integrations發(fā)布新技術(shù)白皮書，深度解讀適用于下一代800VDC AI 數(shù)據(jù)中心的1250V和1700V PowiGaN技術(shù)

深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日發(fā)布一份新的技術(shù)白皮書，詳解其PowiGaN?氮化鎵技術(shù)能為下一代AI數(shù)據(jù)中心帶來(lái)的顯著優(yōu)勢(shì)。這份白皮書發(fā)布于圣何塞舉行的2025年開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目全球峰會(huì)(2025 OCP Global Summit)，其中介紹了1250V和1700V PowiGaN技術(shù)適用于800VDC供電架構(gòu)的功能特性。峰會(huì)上，NVIDIA還就800VDC架構(gòu)的最新進(jìn)展進(jìn)行了說(shuō)明。Power Integrations正與NVIDIA合作，加速推動(dòng)向8
關(guān)鍵字： Power Integrations 數(shù)據(jù)中心 GaN

40W超緊湊DC-DC轉(zhuǎn)換器，適用于空間受限的嚴(yán)苛應(yīng)用場(chǎng)合

XP Power宣布推出具有成本效益的40W DC-DC轉(zhuǎn)換器BCT40T系列，該產(chǎn)品采用業(yè)界領(lǐng)先的1“x 1”（25.4mm x 25.4mm）緊湊型封裝，專為PCB安裝而設(shè)計(jì)。這個(gè)新系列提供高功率密度和全面的功能，使其成為各種要求苛刻的工業(yè)技術(shù)、ITE和通信應(yīng)用的理想電源解決方案，在這些應(yīng)用中，空間是一個(gè)關(guān)鍵的限制因素。這款高性能BCT40T系列專為測(cè)試與測(cè)量、機(jī)器人、過(guò)程控制、分析儀器和通信設(shè)備等領(lǐng)域工作的研發(fā)工程師而設(shè)計(jì)。其超緊湊的金屬封裝具有顯著優(yōu)勢(shì)，可節(jié)省寶貴的PCB面積，并為客戶應(yīng)用電路提供
關(guān)鍵字： DC-DC轉(zhuǎn)換器空間受限 XP Power

iDEAL推出具有行業(yè)領(lǐng)先性價(jià)比的200 V SuperQ? MOSFET系列

?iDEAL半導(dǎo)體近日宣布，其200 V SuperQ? MOSFET系列中的首款產(chǎn)品已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外四款200 V器件現(xiàn)已提供樣品。SuperQ是硅MOSFET技術(shù)在超過(guò)25年來(lái)的首次重大進(jìn)步，突破了長(zhǎng)期存在的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通限制。它在性能和效率方面實(shí)現(xiàn)了階躍式提升，同時(shí)保留了硅的核心優(yōu)勢(shì)：堅(jiān)固性、高產(chǎn)量制造能力，以及在175 °C下的可靠表現(xiàn)。首款進(jìn)入量產(chǎn)的200 V器件是iS20M028S1P，這是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封裝。iDEAL的最低電阻200 V器件現(xiàn)已在T
關(guān)鍵字： iDEAL MOSFET

iDEAL 半導(dǎo)體宣布推出基于 SuperQ?的 200V MOSFET 系列，具有行業(yè)領(lǐng)先的成本×性能

iDEAL 半導(dǎo)體宣布其首批基于 SuperQ?的 200V MOSFET 已進(jìn)入量產(chǎn)階段，另外還有四個(gè) 200V 器件正在進(jìn)行樣品測(cè)試。SuperQ 是過(guò)去 25 年來(lái)硅 MOSFET 技術(shù)的第一個(gè)重大進(jìn)步，突破了長(zhǎng)期存在的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通限制。它在提供性能和效率飛躍的同時(shí)，保留了硅的核心優(yōu)勢(shì)：堅(jiān)固性、大規(guī)?？芍圃煨院驮?175°C 下經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的可靠性。首個(gè)進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)的 200 V 器件 iS20M028S1P 是一款 TO-220 封裝的 25 mΩ MOSFET。iDEAL 的最低電阻 200 V 器
關(guān)鍵字： MOSFET 選型MOS 新品 iDEAL

Power Integrations推出太陽(yáng)能賽車專用參考設(shè)計(jì)，采用高效率氮化鎵芯片

澳大利亞達(dá)爾文及美國(guó)加州圣何塞，2025年8月22日訊 –Power Integrations推出一款專為太陽(yáng)能賽車量身定制的參考設(shè)計(jì)套件。與此同時(shí)，37支學(xué)生隊(duì)伍已整裝待發(fā)，將參加于8月24日開(kāi)始的普利司通世界太陽(yáng)能挑戰(zhàn)賽，穿越澳洲內(nèi)陸地區(qū)。該套件型號(hào)為RDK-85SLR，采用了PI?公司一款集成PowiGaN?氮化鎵技術(shù)的芯片InnoSwitch?3-AQ。其設(shè)計(jì)靈感來(lái)自PI公司PowerPros?在線支持工程師與蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院aCentauri車隊(duì)的合作成果。后者的85號(hào)“Silvretta”挑
關(guān)鍵字： Power Integrations 太陽(yáng)能賽車氮化鎵芯片

iDEAL與電力系統(tǒng)專家Richardson Electronics, Ltd.簽署SuperQ MOSFET技術(shù)合作伙伴協(xié)議

繼推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此舉標(biāo)志著自 25 多年前超級(jí)結(jié)技術(shù)以來(lái)，硅 MOSFET 架構(gòu)的首次重大進(jìn)步。賓夕法尼亞州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家專注于實(shí)現(xiàn)突破性效率的無(wú)晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，該公司宣布將與電力和射頻專家 Richardson Electronics 合作。根據(jù)該協(xié)議，iDEAL 將獲得 Richardson Electronics 的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)和銷售專家的支持，以擴(kuò)展其基于公司新型專利、最先進(jìn) SuperQ 技術(shù)
關(guān)鍵字： iDEAL Richardson SuperQ MOSFET

iDEAL半導(dǎo)體與Mouser電子簽署全球分銷協(xié)議

?iDEAL半導(dǎo)體，一家專注于提供突破性效率的無(wú)晶圓廠功率半導(dǎo)體公司，宣布與Mouser電子簽署全球分銷協(xié)議。該協(xié)議涉及iDEAL基于其新穎、專利、最先進(jìn)的SuperQ技術(shù)的功率器件。SuperQ與傳統(tǒng)超級(jí)結(jié)架構(gòu)相比，在效率和性能方面實(shí)現(xiàn)了顯著提升，使功率工程師能夠滿足現(xiàn)代功率系統(tǒng)的需求，同時(shí)保持硅的可靠性、成本效益和供應(yīng)鏈穩(wěn)健性。在首批基于SuperQ的產(chǎn)品進(jìn)入量產(chǎn)后，150V MOSFET現(xiàn)已立即可用。這些產(chǎn)品提供領(lǐng)先的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和優(yōu)異的身形因子（FOM），包括業(yè)界最低的開(kāi)關(guān)
關(guān)鍵字： iDEAL Mouser SuperQ 功率器件

iDEAL的SuperQ技術(shù)正式量產(chǎn)，推出150V與200V MOSFET

iDEAL Semiconductor的SuperQ?技術(shù)現(xiàn)已全面量產(chǎn)，首款產(chǎn)品為150V MOSFET。同時(shí)，一系列200V MOSFET產(chǎn)品也已進(jìn)入送樣階段。SuperQ是過(guò)去25年來(lái)硅基MOSFET設(shè)計(jì)領(lǐng)域的首次重大突破，在硅功率器件中實(shí)現(xiàn)了前所未有的性能與效率提升。該架構(gòu)突破了硅材料在導(dǎo)通與開(kāi)關(guān)方面的物理瓶頸，將n型導(dǎo)電區(qū)域擴(kuò)大至高達(dá)95%，并將開(kāi)關(guān)損耗較競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品降低高達(dá)2.1倍。該結(jié)構(gòu)不僅改善了器件的電阻與功率損耗，同時(shí)保留了硅材料的諸多優(yōu)勢(shì)，包括高強(qiáng)度、量產(chǎn)能力強(qiáng)以及在175°C結(jié)溫下的可靠性
關(guān)鍵字： iDEAL MOSFET SuperQ

Power Integrations任命Jennifer Lloyd為下一任首席執(zhí)行官

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布，Jennifer A. Lloyd博士將接替自2002年以來(lái)一直擔(dān)任首席執(zhí)行官的Balu Balakrishnan，成為公司的下一任首席執(zhí)行官。Lloyd博士曾擔(dān)任過(guò)Power Integrations董事會(huì)成員，現(xiàn)再次被任命為公司董事會(huì)成員。這兩項(xiàng)任命均于7月21日生效。自1997年以來(lái)，Lloyd博士在全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)企業(yè)Analog Devices, Inc.擔(dān)任過(guò)一系列高級(jí)工程和業(yè)務(wù)管理職位。在此期間，她曾領(lǐng)
關(guān)鍵字： Power Integrations

接口、黑匣子快照驅(qū)動(dòng)器1.3kW AC-DC系列

XP Power 開(kāi)發(fā)了 1.3kW 全數(shù)字、可配置、模塊化 AC-DC 電源系列，為電源工程師提供了新的界面。FLXPro 系列從 FLX1K3 可配置 1U 機(jī)箱開(kāi)始，提供高達(dá) 1.3kW 的 AC-DC 電源，功率密度為 58.9W/cm3 （23.2W/in3）。該系統(tǒng)的一個(gè)關(guān)鍵元素是 XPInsight 用戶界面。這是使用以人為本的設(shè)計(jì) （HCD）原則開(kāi)發(fā)的，以簡(jiǎn)化系統(tǒng)配置、監(jiān)控和控制，并具有繪圖、數(shù)據(jù)記錄和同步多單元顯示等高級(jí)功能?！拔覀冇?2015 年推出的 Nanoflex 1U 120
關(guān)鍵字：快照驅(qū)動(dòng)器 AC-DC XP Power

Nissan推出第三代e-POWER技術(shù) 可用電力直驅(qū)馬達(dá)

Nissan宣布正式在歐洲推出其e-POWER技術(shù)的第三代系統(tǒng)。這項(xiàng)技術(shù)的核心是汽油引擎僅用于發(fā)電，電力直接驅(qū)動(dòng)電動(dòng)馬達(dá)來(lái)帶動(dòng)車輪，提供類似純電動(dòng)車的平穩(wěn)加速，且無(wú)需外部充電。第三代e-POWER系統(tǒng)經(jīng)全面優(yōu)化，專注于提升燃油效率、降低排放并改善行車靜謐性。 e-POWER的獨(dú)特之處在于其動(dòng)力傳輸模式，消除了引擎與車輪之間的機(jī)械連接，確保了實(shí)時(shí)響應(yīng)與平順駕馭感。系統(tǒng)也整合了動(dòng)能回收技術(shù)，進(jìn)一步提高能源效率。全新e-POWER 的核心是一個(gè)新的5合1模塊化動(dòng)力總成單元，整合了關(guān)鍵部件于一體。新引擎采用
關(guān)鍵字： Nissan e-POWER 電力直驅(qū)馬達(dá)

Power Integrations 汽車電源管理方案：為汽車應(yīng)用增加系統(tǒng)價(jià)值

在新能源汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展的當(dāng)下，高效的電源管理方案成為提升汽車性能與可靠性的關(guān)鍵。近期，Power Integrations 舉辦線上交流會(huì)，介紹了基于其 1700V InnoSwitch3-AQ 反激式開(kāi)關(guān) IC 的五款全新參考設(shè)計(jì)，旨在為 800V 純電動(dòng)汽車提供卓越的電源管理解決方案，進(jìn)一步推動(dòng)新能源汽車技術(shù)的進(jìn)步。隨著新能源汽車從傳統(tǒng)燃油車向純電動(dòng)汽車的轉(zhuǎn)型，汽車電氣系統(tǒng)經(jīng)歷了翻天覆地的變化。傳統(tǒng)燃油車主要依賴 12V 低壓電池供電，電源轉(zhuǎn)換需求相對(duì)簡(jiǎn)單。然而，新能源汽車為了實(shí)現(xiàn)快速充電，電池包電
關(guān)鍵字： Power Integrations 汽車電源管理